CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到5.7kVRMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。该芯片的性能亮点包括:高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传输延迟、低脉冲宽度失真。严格的工艺控制使得芯片一致性较好。输入级是模拟二极管,与传统的光耦隔离栅极驱动器的 LED 相比,具有更好的长期可靠性和老化特性。高性能和高可靠性使得该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。CA-IS3211 可以驱动高压侧及低压侧的功率管,既能够完全兼容传统的光耦栅极驱动器,又显著提高了驱动的性能。
名称 | 参数 |
---|---|
光耦输入的 5.7 kVRMS单通道隔离式栅极驱动器 | |
输出峰值电流:5A 拉 / 6A 灌 | |
最大 30V 输出驱动电源电压 | |
8V (B) 或 12V (C) VCC 欠压锁定阈值 | |
轨到轨输出 | |
70 ns(典型值)传输延迟 | |
25 ns(最大)部件对部件延迟匹配 | |
35 ns(最大)脉冲宽度失真 | |
150 kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI) | |
隔离栅寿命大于 40 年 | |
输入级最高反向耐压 7 V,并支持互锁 | |
宽体 SOIC6-WB/SOIC8-WB 封装,气隙和爬电距离 大于 8.5 mm | |
工作结温范围 TJ:-40°C 到 150°C | |
安全相关认证:(认证中) | 8000 VPK 增强隔离耐压,根据 DIN V VDE V0884- 11: 2017-01(SOIC6-WB/SOIC8-WB) |
安全相关认证:(认证中) | 5300 VPK 基本隔离耐压,根据 DIN V VDE V0884- 11: 2017-01(DUB8) |
安全相关认证:(认证中) | 5.7 kVRMS隔离,1 分钟,根据 UL 1577(SOIC6- WB/SOIC8-WB) |
安全相关认证:(认证中) | 3.75 kVRMS隔离,1 分钟,根据 UL 1577(DUB8) |
安全相关认证:(认证中) | CQC 认证,GB4943.1-2011 |
零件号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
CA-IS3211VBJ | SOIC6-WB | 7.5 mm x 4.68 mm |
CA-IS3211VCJ | SOIC6-WB | 7.5 mm x 4.68 mm |
CA-IS3211VBG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211VCG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211SBG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211SCG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211VCU | DUB8 | 9.2 mm x 6.35 mm |
CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到5.7kVRMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。该芯片的性能亮点包括:高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传输延迟、低脉冲宽度失真。严格的工艺控制使得芯片一致性较好。输入级是模拟二极管,与传统的光耦隔离栅极驱动器的 LED 相比,具有更好的长期可靠性和老化特性。高性能和高可靠性使得该芯片适用于工业电源、光伏逆变器、车载充电器、直流电机控制以及汽车空调与加热系统。CA-IS3211 可以驱动高压侧及低压侧的功率管,既能够完全兼容传统的光耦栅极驱动器,又显著提高了驱动的性能。
名称 | 参数 |
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光耦输入的 5.7 kVRMS单通道隔离式栅极驱动器 | |
输出峰值电流:5A 拉 / 6A 灌 | |
最大 30V 输出驱动电源电压 | |
8V (B) 或 12V (C) VCC 欠压锁定阈值 | |
轨到轨输出 | |
70 ns(典型值)传输延迟 | |
25 ns(最大)部件对部件延迟匹配 | |
35 ns(最大)脉冲宽度失真 | |
150 kV/μs(最小)共模瞬态抗扰度(CMTI) | |
隔离栅寿命大于 40 年 | |
输入级最高反向耐压 7 V,并支持互锁 | |
宽体 SOIC6-WB/SOIC8-WB 封装,气隙和爬电距离 大于 8.5 mm | |
工作结温范围 TJ:-40°C 到 150°C | |
安全相关认证:(认证中) | 8000 VPK 增强隔离耐压,根据 DIN V VDE V0884- 11: 2017-01(SOIC6-WB/SOIC8-WB) |
安全相关认证:(认证中) | 5300 VPK 基本隔离耐压,根据 DIN V VDE V0884- 11: 2017-01(DUB8) |
安全相关认证:(认证中) | 5.7 kVRMS隔离,1 分钟,根据 UL 1577(SOIC6- WB/SOIC8-WB) |
安全相关认证:(认证中) | 3.75 kVRMS隔离,1 分钟,根据 UL 1577(DUB8) |
安全相关认证:(认证中) | CQC 认证,GB4943.1-2011 |
零件号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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CA-IS3211VBJ | SOIC6-WB | 7.5 mm x 4.68 mm |
CA-IS3211VCJ | SOIC6-WB | 7.5 mm x 4.68 mm |
CA-IS3211VBG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211VCG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211SBG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211SCG | SOIC8-WB | 7.5 mm x 5.85 mm |
CA-IS3211VCU | DUB8 | 9.2 mm x 6.35 mm |
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