CS817x2X是低功耗两通道数字隔离器系列产品,采用川土独有的专利技术“Pulse-Coding”,实现70uA/通道的低静态功耗。在隔离CMOS数字I/O时,CS817x2X器件具有高电磁抗扰度和低辐射特性。所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。CS817x20器件具有两个前向双通道,CS817x22具有一个前向和一个反向两个通道。所有设备都具有故障安全模式选项。如果输入侧电源掉电或信号丢失,后缀为L的器件默认输出为低电平,后缀为H的设备默认输出为高电平。
CS817x2X器件具有高绝缘能力,有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端,进而能够防止干扰或损坏敏感电路。高CMTI能力可以保证数字信号的正确传输。CS817x2X器件采用8脚窄体SOIC8封装,所有产品支持绝缘耐压高达3KVrms。
名称 | 参数 |
---|---|
低功耗(典型值): | 电流为70μA/通道(@3.3V, 静态) 电流为75μA/通道(@3.3V,10Kbps) 电流为125μA/通道(@3.3V,200Kbps) |
信号传输速率 | DC ~ 200Kbps |
宽电源电压范围 | 2.25 V ~ 5.5 V |
温度范围 | -40 °C ~ 125 °C |
无需启动初始化 | |
默认输出高电平和低电平选项 | |
优异的电磁抗扰度 | |
CMTI | ±150 kV/µS(典型值) |
隔离电压高达3KVRMS | |
隔离栅寿命 | >40 年 |
施密特触发器输入 | |
标准形式 | SOIC16-WB (W) |
零件号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
CS817X20 CS817X22 | SOIC8-NB(S) | 4.90mm×3.90mm |
CS817x2X是低功耗两通道数字隔离器系列产品,采用川土独有的专利技术“Pulse-Coding”,实现70uA/通道的低静态功耗。在隔离CMOS数字I/O时,CS817x2X器件具有高电磁抗扰度和低辐射特性。所有器件版本均具有施密特触发器输入,可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2)绝缘栅隔离。CS817x20器件具有两个前向双通道,CS817x22具有一个前向和一个反向两个通道。所有设备都具有故障安全模式选项。如果输入侧电源掉电或信号丢失,后缀为L的器件默认输出为低电平,后缀为H的设备默认输出为高电平。
CS817x2X器件具有高绝缘能力,有助于防止数据总线或其他电路上的噪声和浪涌进入本地接地端,进而能够防止干扰或损坏敏感电路。高CMTI能力可以保证数字信号的正确传输。CS817x2X器件采用8脚窄体SOIC8封装,所有产品支持绝缘耐压高达3KVrms。
名称 | 参数 |
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低功耗(典型值): | 电流为70μA/通道(@3.3V, 静态) 电流为75μA/通道(@3.3V,10Kbps) 电流为125μA/通道(@3.3V,200Kbps) |
信号传输速率 | DC ~ 200Kbps |
宽电源电压范围 | 2.25 V ~ 5.5 V |
温度范围 | -40 °C ~ 125 °C |
无需启动初始化 | |
默认输出高电平和低电平选项 | |
优异的电磁抗扰度 | |
CMTI | ±150 kV/µS(典型值) |
隔离电压高达3KVRMS | |
隔离栅寿命 | >40 年 |
施密特触发器输入 | |
标准形式 | SOIC16-WB (W) |
零件号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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CS817X20 CS817X22 | SOIC8-NB(S) | 4.90mm×3.90mm |
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