CA-IS3221CAW
量产
4.7A 拉/6A 灌电流双通道隔离栅极驱动器
CA-IS3221C 系列产品为双通道隔离栅极驱动器,可提供4.7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动。这些器件支持 高速切换,结合器件的低传输延迟(75ns,典型值)、低 脉宽失真等优势,并提供不同的驱动电源 UVLO 选项, 使其成为 Si MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 等大功率晶体 管驱动的理想选择,工作频率可达 2MHz,适用于各种逆 变器、隔离电源和电机驱动等应用。
所有器件采用电容隔离技术,输入侧与驱动器输出侧通 过二氧化硅(SiO2)电容绝缘栅隔离,提供高达 5700kVRMS (W 封装)的隔离耐压等级,以及最小 100kV/μs 的共模 瞬态抗扰度(CMTI)。此外,内部电路在二次侧(输出侧) 的驱动器 A 与驱动器 B 之间提供功能隔离,可支持最高1500VDC的工作电压。
CA-IS3221C 系列隔离栅极驱动器可以配置为双通道低边 驱动、双通道高边驱动和半桥驱动,提供可编程死区时 间。禁止控制功能允许器件通过控制 DIS 引脚将驱动器A 和驱动器 B 的输出快速拉至低电平,关断外部功率晶 体管。另外,当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或 低于 UVLO 门限时,或当器件处于禁用状态时,驱动器 输出置于默认状态:低电平;当输入信号开路时,驱动 器输出同样置于默认状态:低电平,关断外部功率管。
CA-IS3221C 输入侧电源 VCCI 支持 3V 到 5.5V 供电电压范 围,输出侧电源 VDD_可接受高达 30V 的供电电压。器件 环境工作温度范围为–40°C 至+125°C,提供 SOIC16-WB 和SOIC16-NB 两种封装选项,满足不同应用需求。
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特性
灵活支持多种配置
双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动
支持 4.7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
输入侧电源 VCCI支持 3V 至 5.5V 供电电压范围
输出侧驱动电源 VDD_高达 30V
提供 6V 和 8V 高精度 UVLO 选项
优异的时序特性
75ns(典型值)传输延迟
7ns(最大值)器件间传输延迟偏差
9ns(最大值)脉宽失真
40ns(最大值)最小输入脉宽片外可编程死区时间
–40°C 至+125°C 环境工作温度范围
高共模瞬态抗扰度(CMTI)
> ±100kV/μs
高可靠的电气隔离
额定工作电压下隔离栅寿命大于 40 年
最高 5700VRMS隔离耐压等级
最高 12.8kVPK 浪涌抗扰度提供两种封装选项,满足不同应用需求
SOIC16-WB (W),5700VRMS 隔离耐压等级
SOIC16-NB (N),3750VRMS隔离耐压等级 -
应用
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服务器电源
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储能逆变器
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不间断电源(UPS)
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EV /HEV 电池充电器
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隔离 AC-DC 和 DC-DC 转换器
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器件信息
器件型号 封装 封装尺寸(标称值) CA-IS3221CxW SOIC16-WB (W) 10.30mm x 7.50mm CA-IS3221CxN SOIC16-NB (N) 10.00mm x 3.90mm -
简化通道结构图
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技术文档
文档名称
文件种类
更新日期
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文件种类: 规格书
更新日期: 2026.07.16
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认证标准
认证名称
认证种类
认证编号
认证日期
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认证种类: 可靠性
认证编号: CA-IS3221Cxx_V1.0
认证日期: 2026.06.29
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