CA-IS3217SNW-Q1

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量产

适用于SiC/IGBT 的集成高精度隔离ADC采样的单通道增强隔离栅极驱动器

CA-IS3217/8-Q1 是一系列基于电容隔离的集成多种 保护功能的单通道栅极驱动器,可用于驱动 SiC、IGBT 和MOSFET 器件。器件具有先进的主动保护功能、出色 的动态性能和高可靠性,同时具有高达±10A 峰值的拉/ 灌电流能力。 


CA-IS3217/8-Q1 通过 SiO2 电容隔离技术实现控制侧 与驱动侧的电气隔离,支持1.5kVRMS的隔离工作电压、 12.8 kVPK 浪涌抗扰度,额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年,同时具有良好的器件一致性以及>150 kV/μs 的共 模瞬态抗扰度 (CMTI)。 


CA-IS3217/8-Q1 具有 PWM 输出的隔离采样功能 (ANW版本),可用于温度采样,包含NTC或热敏二极 管等,以及母线电压采样等功能。 


 CA-IS3217/8-Q1 具有以下多重保护功能:快速过流 和短路检测、有源短路保护、有源米勒钳位、主动下拉、 短路钳位、软关断、故障报告、控制和驱动侧电源 UVLO、OVLO,同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优 化,并提高了可靠性。 


 CA-IS3217/8-Q1 全系列采用 SOIC-16 宽体封装,爬 电距离和间隙距离大于8mm。

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  • 特性

    5.7 kVRMS耐压等级的单通道隔离栅极驱动器

    驱动最高达 2121 VPK的SiC MOSFET和 IGBT

    VDD电源耐压最大36V(VDD–VEE)

    ±10A 峰值驱动电流能力

    内置5 A峰值电流有源米勒钳位

    210ns 响应时间的快速 DESAT 保护功能

    短路故障时 400 mA (IGBT)或1 A (SiC) 软关断

    驱动侧和控制侧独立的ASC 输入控制,用于在系 统故障时强制开通功率管

    集成隔离ADC功能,可用于温度采样和母线采样

    AIN范围0.04V~4.96V
    APWM输出精度±1.0%
    APWM输出频率10kHz
    200μA内置电流源可选

    过饱和故障时,FLT 警告,通过RST

    快速响应的RST /EN 关断/使能 /EN 复位

    输入引脚40 ns(典型值)瞬态和脉冲抑制功能

    12 V VDD UVLO 和电源READY指示功能

    直通死区保护

    延时特性

    130 ns(最大值)传播延迟
    30 ns(最大值)脉宽失真
    30 ns(最大值)器件间延时匹配

    高共模瞬态抗扰度

    150 kV/μs(最小值)

    SOIC-16 宽体封装,爬电距离和间隙距离 >8mm

    额定工作电压下隔离栅寿命大于40年

    工作结温(TJ)范围 :–40°C至 150°C

  • 应用

    • 汽车电驱逆变器

    • 新能源车载充电器

    • 汽车高压DC-DC变换器

    • 直流快速及闪充充电桩

  • 器件信息

    零件号

    封装

    封装尺寸(标称值)

    CA-IS3217xNW-Q1SOIC16‐WB(W)

    10.30 mm × 7.50 mm

    CA-IS3218xNW-Q1SOIC16‐WB(W)

    10.30 mm × 7.50 mm




  • 简化通道结构图

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